有機電子デバイスおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村智廣 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055299
Publication number (International publication number)：2003258164
Application date： Mar. 01, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】大気による特性変動や劣化が改良された有機電子デバイスを、簡易かつ低コストで実現し得る有機電子デバイスおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】有機電子材料からなる有機電子材料層13を有する有機電子デバイスであって、有機電子材料層13の少なくとも一部が、アルミナからなる封止膜14で封止されていることを特徴とする有機電子デバイス、および、封止膜14で封止される封止対象部位に対し、RFスパッタ装置によりアルミナ膜を着膜させることで封止膜14を形成することを特徴とする有機電子デバイスの製造方法である。

Claim (excerpt)：

有機電子材料からなる有機電子材料層を有する有機電子デバイスであって、前記有機電子材料層の少なくとも一部が、アルミナからなる封止膜で封止されていることを特徴とする有機電子デバイス。

IPC (6)：

H01L 23/29 , H01L 21/316 , H01L 23/31 , H01L 29/06 601 , H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (6)：

H01L 21/316 Y , H01L 29/06 601 N , H01L 23/30 D , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 619 A , H01L 29/28

F-Term (24)：

4M109ED05 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC03 , 5F058BF12 , 5F058BJ04 , 5F110AA14 , 5F110CC03 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059209 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
特開昭60-167352
絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-205490 Applicant：日本真空技術株式会社

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