半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997077815
Publication number (International publication number)：1998275934
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体層の電気抵抗が比較的大きいチッ化ガリウム系化合物半導体が用いられる半導体発光素子においても、チップの面内での電流が均一になり、全体で均一に発光する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、基板上に発光層を形成すべくGaN系化合物半導体が積層される半導体積層部10と、半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層3)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、第2の電極が、平面形状が四角形状の発光素子チップ13の1つの角部ある第1の角部13aに設けられ、かつ、第1の角部と対向する第2の角部13bから第2の角部に隣接する2辺に沿って前記第1の電極が設けられている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に発光層を形成すべくチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体積層部と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、前記第2の電極が、平面形状が四角形状の発光素子チップの1つの角部である第1の角部に設けられ、かつ、該第1の角部と対向する角部である第2の角部から該第2の角部に隣接する2辺に沿って前記第1の電極が設けられてなる半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-080305 Applicant：三菱電線工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-181595 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-129313 Applicant：日亜化学工業株式会社

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