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J-GLOBAL ID:200903048589227768

半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 清路
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001128483
Publication number (International publication number):2002324770
Application date: Apr. 25, 2001
Publication date: Nov. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 研磨性能を低下させることなく、光学式の終点検出を行うことができる半導体ウエハ用研磨パッド及び半導体ウエハ用研磨複層体並びにこれらをもちいた半導体ウエハの研磨方法を提供する。【解決手段】 マトリックス材となる1,2-ポリブタジエン80体積%と、水溶性粒子となるβ-シクロデキストリン20体積%とを加熱されたニーダーにて混練し、架橋剤を添加してさらに混練した後、プレス金型内にて所定時間架橋反応させた後、成形し、研磨パッドを得た。得られる研磨パッドは、厚さを2mmとした場合に、波長400〜800nmの間のいずれかの波長における透過率が0.1%以上であるか、又は波長400〜800nmの間のいずれかの波長域における積算透過率が0.1%以上である。
Claim (excerpt):
非水溶性マトリックス材と、該非水溶性マトリックス材中に分散された水溶性粒子とを備え、透光性を有することを特徴とする半導体ウエハ用研磨パッド。
IPC (4):
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04
FI (4):
H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 K
F-Term (6):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058BA01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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