基板処理装置及び基板処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：別役重尚 , 村松聡 , 後藤夏紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006248241
Publication number (International publication number)：2007243138
Application date： Sep. 13, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】基板上のプラズマの状態を容易に所望の状態に維持することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置10は処理空間Sに突出する先端が半球状の処理ガス導入ノズル38を備え、該処理ガス導入ノズル38は外側構造部52と該外側構造部52に内包される内側構造部53とから成り、外側構造部52は該外側構造部52の先端における半球の中心から放射状に配置されている複数の処理ガス導入孔56を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板を収容する処理室と、該処理室内に配置され且つ前記基板を載置する載置台と、前記処理室内に向けて処理ガスを導入する少なくとも1つの処理ガス導入部とを備え、前記基板にプラズマ処理としてのエッチング処理を施す基板処理装置において、前記処理ガス導入部は前記処理室内に突出する突起状物であり、互いに異なる方向に向けて開口する複数の処理ガス導入孔を有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/306 , H01L 21/027 , H05H 1/46 , C23F 4/00

FI (4)：

H01L21/302 101B , H01L21/30 572A , H05H1/46 M , C23F4/00 A

F-Term (21)：

4K057DB06 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG06 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA09 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DB02 , 5F046MA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-358432 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (2)

調整可能なマルチゾーンガス噴射システム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-537097 Applicant：ラムリサーチコーポレーション
プラズマ処理用ガス注入システム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-592857 Applicant：ラムリサーチコーポレーション

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