プラズマ処理用ガス注入システム

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000592857
Publication number (International publication number)：2002534797
Application date： Dec. 07, 1999
Publication date： Oct. 15, 2002
Summary：

【要約】半導体ウェハ(13)など基板をプラズマ処理するためのプラズマ処理システム。このシステムは、プラズマ処理チャンバと、処理チャンバ内部に基板を支持するための基板支持体と、基板支持体に面する内部表面を有する誘電体部材であって、処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、誘電体窓(20)の一部に固定された、または誘電体窓(20)にある開口内に着脱可能に取り付けられたガス注入部(22)であって、チャンバ内にプロセス・ガスを供給する複数のガス出口を含むガス注入器と、プロセス・ガスを励起してプラズマ状態にするために誘電体部材を介してチャンバ内にRFエネルギーを誘導結合するプレーナ形または非プレーナ形螺旋コイル(18)などのRFエネルギー源とを含む。この構成は、特定の処理体制の必要性を満たすようにガス噴出構成を変更することを可能にする。さらに、消耗性シャワーヘッド構成に比べ、取外し可能に取り付けられたガス注入器の使用は、より簡単かつ経済的な代用とすることができる。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理チャンバと、前記処理チャンバに接続された真空ポンプと、前記処理チャンバ内部で基板を支持する基板支持体と、前記基板支持体に面する内部表面を有する誘電体部材であって、前記処理チャンバの壁を形成する誘電体部材と、その遠位端部が前記処理チャンバ内部で露出されるように前記誘電体部材を介して延在し、前記処理チャンバ内にプロセスガスを供給する複数のガス出口を含むガス注入器と、前記プロセスガスを励起してプラズマ状態にし、前記基板を処理するために、誘電体部材を介して当該チャンバ内にRFエネルギーを誘導結合するRFエネルギー源とを備えるプラズマ処理システム。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23C 16/507 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5)：

B01J 19/08 H , C23C 16/507 , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

F-Term (34)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BA05 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA47 , 4G075CA65 , 4G075CA80 , 4G075DA02 , 4G075EC14 , 4G075EC30 , 4G075EE02 , 4G075FC15 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030FA04 , 4K030KA30 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BC03 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB09 , 5F045AA08 , 5F045EF02 , 5F045EH03 , 5F045EH11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマプロセスリアクタのガスインジェクションスリットノズル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-272406 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-277370 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-297707 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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