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J-GLOBAL ID：200903048787325104

ジルコニウム酸化膜の製造方法

Inventor：
林 燦

About 林 燦


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 笹島 富二雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001195041
Publication number (International publication number)：2002075989
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】薄膜内の塩素の残留に起因する薄膜の電気的特性劣化や凝集現象を防止することのできる原子層蒸着法を利用したジルコニウム酸化膜の製造方法を提供する【解決手段】ウェーハ12を装着した反応器10内にZr(OC(CH3)3)4ガスを供給してウェーハ12上にZr(OC(CH3)3)4を吸着させた後、ウェーハ12上に吸着せずに未反応のままとなっているZr(OC(CH3)3)4ガス及び反応副産物をパージする。次に、反応器10内に酸素ソースを供給して前記Zr(OC(CH3)3)4を吸着させたウェーハ12上に酸素を吸着し、ZrO2薄膜を形成した後、ウェーハ12上に吸着せず未反応のままとなっている酸素ソース及び反応副産物をパージする。
Claim (excerpt)：
原子層蒸着法を利用したジルコニウム酸化膜の製造方法において、反応器内にウェーハを装着する第1ステップと、前記反応器内にジルコニウムソースとしてZr(OC(CH3)3)4ガスを供給する第2ステップと、未反応Zr(OC(CH3)3)4ガスをパージする第3ステップと、前記反応器内に酸素ソースを供給してジルコニウム酸化膜を形成する第4ステップと、未反応酸素ソースをパージする第5ステップとを含んでなることを特徴とするジルコニウム酸化膜の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/316 ,  C01G 25/02 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (5)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C01G 25/02 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 651
F-Term (26)：
4G048AA02 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030DA08 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF17 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F083JA02 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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