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J-GLOBAL ID：200903048905214800

半導体式ガス検知素子

Inventor：
皆越 知世

About 皆越 知世

, 
前川 亨

About 前川 亨

, 
中村 俊一

About 中村 俊一


Applicant, Patent owner：
新コスモス電機株式会社

About 新コスモス電機株式会社


Agent (3)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也 ,  太田 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007081595
Publication number (International publication number)：2008241430
Application date： Mar. 27, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【課題】長期間に亘ってガス選択性を有する半導体式ガス検知素子を提供する。【解決手段】ガス感応部2と、ガス感応部2を被覆する触媒層3とを備える半導体式ガス検知素子Rsであって、触媒層3は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属酸化物を含む金属酸化物半導体に、セリウム、スズ、アルミニウム、ランタン、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、ネオジム、ガドリニウム、バナジウム、シリコン、マグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属元素を固溶させた金属複合酸化物を含有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ガス感応部と、当該ガス感応部を被覆する触媒層とを備える半導体式ガス検知素子であって、 前記触媒層は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属酸化物を含む金属酸化物半導体に、セリウム、スズ、アルミニウム、ランタン、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、ネオジム、ガドリニウム、バナジウム、シリコン、マグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属元素を固溶させた金属複合酸化物を含有する半導体式ガス検知素子。
IPC (2)：
G01N 27/12 ,  G01N 27/18
FI (3)：
G01N27/12 C ,  G01N27/12 B ,  G01N27/18
F-Term (55)：
2G046AA05 ,  2G046AA24 ,  2G046BA02 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BC03 ,  2G046BE02 ,  2G046BE07 ,  2G046BE08 ,  2G046BF01 ,  2G046DB05 ,  2G046DC14 ,  2G046DD01 ,  2G046EA03 ,  2G046EA04 ,  2G046EA10 ,  2G046EA12 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE12 ,  2G046FE15 ,  2G046FE18 ,  2G046FE20 ,  2G046FE22 ,  2G046FE24 ,  2G046FE35 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE44 ,  2G046FE45 ,  2G046FE47 ,  2G046FE48 ,  2G046FE49 ,  2G060AA01 ,  2G060AB03 ,  2G060AB21 ,  2G060AE19 ,  2G060AF02 ,  2G060AF07 ,  2G060AG01 ,  2G060AG15 ,  2G060BA01 ,  2G060BA05 ,  2G060BB09 ,  2G060BB16 ,  2G060BB18 ,  2G060HA01 ,  2G060HB06 ,  2G060HC10 ,  2G060HC18 ,  2G060HD03 ,  2G060HE01 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (7)
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