半導体レ-ザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999116805
Publication number (International publication number)：2000223781
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】安定に横モードを制御して高出力時の高次モード発振を抑制することができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、少なくとも一部が非単結晶、例えば多結晶の窒化物系III-V族化合物半導体からなる埋め込み半導体層、例えばAlGaN埋め込み層20により埋め込む。埋め込み半導体層は例えば520〜760°Cの成長温度で成長させる。

Claim (excerpt)：

リッジ形状のストライプを有する、化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、上記リッジの両側の部分が、少なくとも一部が非単結晶である化合物半導体からなる埋め込み半導体層により埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-071979 Applicant：株式会社東芝
半導体レ-ザダイオ-ドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-105763 Applicant：三菱電機株式会社
化合物半導体エピタキシャルウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-282524 Applicant：昭和電工株式会社

Cited by examiner (3)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-071979 Applicant：株式会社東芝
半導体レ-ザダイオ-ドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-105763 Applicant：三菱電機株式会社
化合物半導体エピタキシャルウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-282524 Applicant：昭和電工株式会社

Return to Previous Page