半導体素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998071979
Publication number (International publication number)：1999274645
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 AlN系材料を埋め込み層として用いることができ、かつ活性領域を形成する他の半導体側に転位や歪みが導入されるのを抑制して良質な活性層を得ることができ、しきい値の低減や信頼性の向上等をはかる。【解決手段】 p型InP基板101上に、p型InPバッファ兼クラッド層102,MQW活性層103,n型InPクラッド層104,n型InPコンタクト層105が形成され、各層105〜102がメサ状に加工された半導体レーザにおいて、メサ側面に多結晶のAlGaN層110を埋め込み形成した。

Claim (excerpt)：

Al<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>z</SB> N(0<x<1,0<y+z<1,x+y+z=1)を、埋め込み層又は絶縁層に用いたことを特徴とする半導体素子。

IPC (9)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 33/00

FI (6)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 29/205 , H01L 29/72 , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-070657 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190467 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-118276 Applicant：富士通株式会社

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