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J-GLOBAL ID：200903049073671404

ポジ型レジスト組成物

Inventor：
佐藤 健一郎

About 佐藤 健一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001236460
Publication number (International publication number)：2003043690
Application date： Aug. 03, 2001
Publication date： Feb. 13, 2003
Summary：
【要約】【課題】 プロセスウインドウが広く、また疎密依存性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、(A)樹脂として、特定の繰り返し単位の含有率の異なる酸分解性樹脂を、少なくとも2種組み合わせる。
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(1)で表される酸分解性基含有繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、酸分解性基含有繰り返し単位の平均含有率が異なる樹脂(A)を少なくとも2種含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(1)において、Rは水素原子又はメチル基を表し、Aは単結合又は連結基を表し、ALGは下記一般式(pI)〜一般式(pV)のいずれかを表す。【化2】(式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、及びR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
IPC (3)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (34)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA05P ,  4J100BA11P ,  4J100BA14P ,  4J100BA15P ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BA34P ,  4J100BA58P ,  4J100BC02P ,  4J100BC04P ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100DA28 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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