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J-GLOBAL ID:200903049164554893

透明電極用基材及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003101972
Publication number (International publication number):2004311175
Application date: Apr. 04, 2003
Publication date: Nov. 04, 2004
Summary:
【課題】優れた電導性と透過性とを併せ持つ透明電極用基材及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る透明電極用基材は、透明基材1上に酸化インジウム・スズからなる透明導電膜2が設けてなり、透明導電膜2は少なくともインジウム(In)とスズ(Sn)の出発原料の総モル量中におけるSn量が、モル量で2%以上10%以下であることを特徴としている。本発明に係る透明電極用基材の製造方法は、少なくともインジウム(In)を含む化合物Aととスズ(Sn)を含む化合物Bとを出発原料とし、該出発原料を溶媒に溶解させ、スプレー熱分解堆積法により前記透明導電膜を形成する際に、前記Aと前記Bの総モル量中におけるスズのモル量を制御することを特徴としている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
透明基材上に酸化インジウム・スズからなる透明導電膜が設けてなり、前記透明導電膜は少なくともインジウム(In)とスズ(Sn)の出発原料の総モル量中におけるSn量が、モル量で2%以上10%以下であることを特徴とする透明電極用基材。
IPC (3):
H01B5/14 ,  C01G19/00 ,  H01B13/00
FI (3):
H01B5/14 A ,  C01G19/00 A ,  H01B13/00 503B
F-Term (6):
5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB02 ,  5G323BC01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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