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J-GLOBAL ID:200903049269745350
強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石田 敬 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999053974
Publication number (International publication number):2000251230
Application date: Mar. 02, 1999
Publication date: Sep. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 抵抗値と抵抗変化率の電圧依存性を低減あるいは抑制した強磁性トンネル接合素子を提供する。【解決手段】 強磁性材料層21/絶縁体層26/強磁性材料層22の積層構造のトンネル接合を含み、このトンネル接合が電圧印加方向に非対称な電圧-抵抗特性をもつようにする。
Claim (excerpt):
強磁性材料/絶縁体/強磁性材料の積層構造のトンネル接合を含み、このトンネル接合が電圧印加方向に非対称な電圧-抵抗特性をもつことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (3):
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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強磁性トンネル接合素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-209292
Applicant:日本電気株式会社
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磁気抵抗効果素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-053065
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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磁気トンネル接合装置及び磁気抵抗読取りヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-277705
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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薄膜磁気ヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-095493
Applicant:松下電器産業株式会社
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磁性多層装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平8-512448
Applicant:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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