高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002165085
Publication number (International publication number)：2003064134
Application date： Jun. 06, 2002
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含む高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。R2は水素原子又は炭素数1〜8のアルキル基を示す。R3は水素原子又はCO2R4を示す。R4は炭素数1〜15のアルキル基を示す。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、アダマンタン構造又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン構造を含む酸分解性保護基によって保護されたカルボン酸を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。R2は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R3は水素原子又はCO2R4を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。)

IPC (4)：

C08F220/26 , C08F220/12 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4)：

C08F220/26 , C08F220/12 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (26)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA11Q , 4J100BA15Q , 4J100BC09P , 4J100BC58Q , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-255167 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-300093 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265052 Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電子工業株式会社

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