イオンビーム照射装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本恵二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003270658
Publication number (International publication number)：2005026189
Application date： Jul. 03, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

【課題】被処理体の帯電抑制用の電子源として、従来技術よりも低い引出し電圧で低エネルギーの電子を多量に発生させることができる電子源を備えるイオンビーム照射装置を提供する。【解決手段】このイオンビーム照射装置は、ホルダ6よりも上流側におけるイオンビーム2の経路の側方に配置されていて電子22をイオンビーム2の経路に向けて放出する電界放射型電子源10と、それ用の引出し電源30とを備えている。この電界放射型電子源10は、導電性の基板12上に先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタ14を形成し、かつ各エミッタ14の先端付近を微小な間隙をあけて取り囲むゲート電極18と、ゲート電極18と基板12との間を絶縁する絶縁層とを設けた構造をしている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ホルダに保持された被処理体にイオンビームを照射して処理を施すイオンビーム照射装置において、前記ホルダよりも上流側におけるイオンビームの経路の側方に配置されていて電子をイオンビームの経路に向けて放出する電子源であって、導電性の基板上に先端が尖った形状をした多数の微小なエミッタを形成し、かつこの各エミッタの先端付近を微小な間隙をあけて取り囲むゲート電極と、このゲート電極と基板との間を絶縁する絶縁層とを設けて成る電界放射型電子源と、この電界放射型電子源の基板とゲート電極との間に後者を正極側にして直流の引出し電圧を印加する引出し電源とを備えており、かつ前記電界放射型電子源の基板を前記ホルダと同電位にしていることを特徴とするイオンビーム照射装置。

IPC (5)：

H01J37/317 , C23C14/48 , H01J37/073 , H01J37/20 , H01L21/265

FI (5)：

H01J37/317 Z , C23C14/48 C , H01J37/073 , H01J37/20 H , H01L21/265 N

F-Term (5)：

4K029DE01 , 5C001CC07 , 5C030CC02 , 5C030CC03 , 5C034CC13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開平4-144050号公報(第3頁左上、右上欄、第1図)

Cited by examiner (9)

イオン注入装置及びイオン注入方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-017926 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-144050
イオン注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-348105 Applicant：日新電機株式会社

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