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J-GLOBAL ID：200903049505470189

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
福田 光弘

About 福田 光弘

, 
北 弘志

About 北 弘志


Applicant, Patent owner：
コニカ株式会社

About コニカ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002277118
Publication number (International publication number)：2003229579
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：
【要約】【課題】 簡単な工程で有機半導体膜を用い、ソース、ドレイン、ゲート電極等、基板上に順次形成することによって、電界効果型トランジスタを構成することにあり、これらを用いてTFT素子等半導体装置を製造する方法を得ることにある。【解決手段】 基板上に、その層中の少なくとも2箇所以上の部分で金属化合物と混合若しくは化合した、該金属化合物と結合しうる構造を末端に有する有機伝導性化合物の層を有し、該有機伝導性化合物の層上に、ゲート電極と、該ゲート電極及び上記有機伝導性化合物の層を隔てる絶縁体層を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
Claim (excerpt)：
基板上に、その層中の少なくとも2箇所以上の部分で金属化合物と混合若しくは化合した、該金属化合物と結合しうる構造を末端に有する有機伝導性化合物の層を有し、該有機伝導性化合物の層上に、ゲート電極と、該ゲート電極及び上記有機伝導性化合物の層を隔てる絶縁体層を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00
FI (3)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/28
F-Term (36)：
5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 有機薄膜トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社
  • ダイオード素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-316710   Applicant：松下技研株式会社
  • αヘキサチエニールを含む製品
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039190   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
Cited by examiner (2)

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