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J-GLOBAL ID：200903049546836031

薄膜積層体、その薄膜積層体を用いた電子装置及びアクチュエータ、並びにアクチュエータの製造方法

Inventor：
近藤 正雄

About 近藤 正雄

, 
山脇 秀樹

About 山脇 秀樹


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324363
Publication number (International publication number)：2004158717
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：
【課題】導電層を有しかつ結晶性の良好な圧電性、電歪性を示す酸化物層を形成し得る薄膜積層体及び高性能かつ低コスト化可能な電子装置及びアクチュエータを実現する。【解決手段】シリコン又はGaAsの単結晶基板11上に、中間層12、下部導電層13、酸化物層14、上部導電層15が順次積層された構成とする。マグネシアスピネル(MgAl2O4)よりなる中間層12、白金族の元素またはその合金よりなる下部導電層13、単純ペロブスカイト格子を有する結晶構造の酸化物層14はエピタキシャル成長して形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン又はガリウム-砒素よりなる単結晶基板と、 前記単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたマグネシアスピネルよりなる中間層と、 前記中間層上にエピタキシャル成長により形成された白金族元素よりなる導電層とよりなり、 単純ペロブスカイト格子を有する結晶構造の酸化物層をエピタキシャル成長させる薄膜積層体。
IPC (8)：
H01L41/08 ,  C23C16/40 ,  C30B29/26 ,  H01L27/105 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24
FI (10)：
H01L41/08 D ,  C23C16/40 ,  C30B29/26 ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101E ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101Z ,  H01L27/10 444C
F-Term (32)：
4G077AA03 ,  4G077BA01 ,  4G077BC16 ,  4G077DA11 ,  4G077DB05 ,  4G077EA01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA11 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  5F083FR01 ,  5F083HA08 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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