無鉛はんだを使用する相互接続構造

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：合田潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996299962
Publication number (International publication number)：1997181125
Application date： Nov. 12, 1996
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】超小型電子回路チップをパッケージに接続するのに適した相互接続構造を提供する。特に、本発明はC4としばしば呼ばれるエリア・アレイ技術またはフリップチップ技術における無鉛のはんだ代替品の使用に関する。【解決手段】この構造は不動態化された基板(例えばシリコン・ウェーハ)上に付着した接着/障壁層と、任意選択で追加の接着層と、Ni、Co、Fe、NiFe、NiCo、CoFe、NiCoFeからなる群から選択された金属のはんだ付け可能層と、主成分のスズ、およびBi、AgおよびSbから選択された1種または複数の合金元素、さらに任意選択でZn、In、Ni、CoおよびCuからなる群から選択された1種または複数の元素を含む無鉛はんだボールとをこの順序で含む。

Claim (excerpt)：

マイクロ電子デバイス・チップのパッケージへのフリップチップ接続機構に適した相互接続構造であって、接着/障壁層とはんだ付け可能層を備え、前記接着/障壁層が前記デバイスと前記はんだ付け可能層との間にあり、前記はんだ付け可能層がNi、Co、Fe、NiFe、NiCo、CoFeおよびNiCoFeからなる群から選択された金属でできている二層ボール制限メタラジと、前記はんだ付け可能層上に選択的に配置された、主成分のスズと、Bi、AgおよびSbから選択された1種または複数の合金元素とを含む1個または複数の無鉛はんだボールとを含む相互接続構造。

IPC (4)：

H01L 21/60 311 , B23K 35/26 310 , C22C 13/02 , H01L 21/321

FI (4)：

H01L 21/60 311 S , B23K 35/26 310 A , C22C 13/02 , H01L 21/92 602 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-299245 Applicant：富士通株式会社
高温無鉛すずベースはんだの組成
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-081871 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-333392

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