電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)： ▲角▼谷浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006235252
Publication number (International publication number)：2008060312
Application date： Aug. 31, 2006
Publication date： Mar. 13, 2008
Summary：

【課題】本発明の目的は、電極の断線やショートが起こりにくく信頼性の高いと共に、寄生容量が小さく周波数特性に優れた電界効果トランジスタ等の機能デバイスを提供することにある。【解決手段】絶縁性の基板と、前記基板上に設けられ、凸部を有する第1の電極と、前記凸部の上面及び側面を覆う絶縁膜と、前記凸部の1側面側の基板表面上に設けられる第2及び第3の電極と、前記凸部の上面に前記絶縁膜を介して設けられる第4の電極と、前記第2の電極、第3の電極及び第4の電極と接すると共に、前記絶縁膜によって前記第1の電極と隔てられる半導体層と、を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁性の基板と、前記基板上に設けられ、凸部を有する第1の電極と、前記凸部の上面及び側面を覆う絶縁膜と、前記凸部の1側面側の基板表面上に設けられる第2及び第3の電極と、前記凸部の上面に前記絶縁膜を介して設けられる第4の電極と、前記第2の電極、第3の電極及び第4の電極と接すると共に、前記絶縁膜によって前記第1の電極と隔てられる半導体層と、を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 29/417 , H01L 21/28 , H01L 51/05

FI (6)：

H01L29/78 626A , H01L29/50 M , H01L21/28 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/28 100A

F-Term (57)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F110AA02 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110QQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-141506 Applicant：ソニー株式会社
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-178111 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (5)

電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-178111 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-189522
電界効果トランジスタ(FET)およびFET回路
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-537137 Applicant：ザ・ユニバーシティ・オブ・リバプール

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