電界効果トランジスタ(FET)およびFET回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001537137
Publication number (International publication number)：2003514382
Application date： Nov. 09, 2000
Publication date： Apr. 15, 2003
Summary：

【要約】デプレッション・モード(3)でスイッチング素子またはドライバとして動作する蓄積タイプの電界効果トランジスタである。

Claim (excerpt)：

スイッチング素子またはドライバとして動作する蓄積タイプのデプレッション・モードの電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 51/00

FI (6)：

H01L 29/78 618 B , H01L 27/08 102 A , H01L 29/78 626 A , H01L 29/78 617 T , H01L 29/28 , H01L 27/08 321 Z

F-Term (20)：

5F048AB04 , 5F048AC02 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB11 , 5F048BC15 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC09 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF24 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110HK50 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110HM13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭62-274775
インバータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-057574 Applicant：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-100411 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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