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J-GLOBAL ID：200903049749146359

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
青野 眞司

About 青野 眞司

, 
高橋 英樹

About 高橋 英樹

, 
友松 佳史

About 友松 佳史

, 
守谷 純一

About 守谷 純一


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007036512
Publication number (International publication number)：2008205015
Application date： Feb. 16, 2007
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：
【課題】しきい値電圧のばらつきが低減される半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】N-基板1の表面から所定の深さの領域にキャリア蓄積層3が位置し、その所定の深さよりも浅い領域にベース領域2が位置し、N-基板の表面にエミッタ領域4が位置する。キャリア蓄積層3は、所定の深さにおいて不純物濃度が最大となるように注入されたリンによって形成され、ベース領域2はその深さよりも浅い位置において不純物濃度が最大となるように注入されたボロンによって形成され、エミッタ領域4はN-基板の表面において最大となるように注入された砒素によって形成されている。エミッタ領域4、ベース領域2およびキャリア蓄積層3を貫通するように開口部1aが形成され、その開口部1aの内壁面上にゲート絶縁膜7を介在させてゲート電極8が形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の前記第1主表面から第1の深さにおいて不純物濃度の最大値を有する第1導電型の第1不純物によって、前記第1主表面から距離を隔てて前記第1の深さに対応する領域に形成された第1導電型の第1不純物領域と、 前記半導体基板の前記第1主表面から前記第1の深さよりも浅い第2の深さにおいて不純物濃度の最大値を有する第2導電型の第2不純物によって、前記第2の深さに対応する領域から前記第1不純物領域に達するように形成された第2導電型の第2不純物領域と、 前記半導体基板の前記第1主表面において不純物濃度の最大値を有する第1導電型の第3不純物によって、前記第1不純物領域とは前記第2不純物領域を介在させて距離を隔てられるように前記第1主表面から所定の深さにわたって形成された第1導電型の第3不純物領域と、 前記第3不純物領域、前記第2不純物領域および前記第1不純物領域を貫通して前記半導体基板の前記第1導電型の領域に達する開口部と、 前記開口部の側壁に露出した前記第3不純物領域、前記第2不純物領域および前記第1不純物領域を覆うように前記側壁上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜を覆うように前記開口部内に形成された電極部と、 前記半導体基板の前記第2主表面に形成された第2導電型の領域と を備えた、半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6)：
H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658L ,  H01L29/78 658D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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