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J-GLOBAL ID：200903049752871226

半導体積層構造及びIII族窒化物層群の転位低減方法

Inventor： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  角谷 茂明
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003008280
Publication number (International publication number)：2004235170
Application date： Jan. 16, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】低転位で結晶品質に優れたIII族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきIII族窒化物層群の転位低減方法を提供する。【解決手段】所定の基材1上においてIII族窒化物層群15を形成し、このIII族窒化物層群中に、少なくともBを含むIII族窒化物から構成される島状又は網目状の介在層9を形成して、半導体積層構造10を作製する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

所定の基材と、 前記基材上に形成されたIII族窒化物層群と、 前記III族窒化物層群中に形成された、島状又は網目状の介在層と、 を具えることを特徴とする、半導体積層構造。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (19)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-052573   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-266928   Applicant：日本碍子株式会社
• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256088   Applicant：株式会社東芝