半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266928
Publication number (International publication number)：2002252177
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子などとして好適に使用することのできる、高い結晶性を有するGa系半導体層群を具えた半導体素子を提供する。【解決手段】サファイア基板などから構成される基板1上に、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下のAlN下地層2を形成する。次いで、AlN下地層2に、Al<SB>p</SB>Ga<SB>q</SB>In<SB>1-p-q</SB>N(0≦p≦1,0<q≦1)なる組成を有するバッファ層3を形成し、このバッファ層3上に、GaN半導体層群4を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上において、Alを含み、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上において、第2の窒化物半導体からなるバッファ層と、このバッファ層上において、Gaを含む第3の窒化物半導体からなる半導体層群とを具え、前記半導体層群を構成する前記第3の窒化物半導体におけるAl含有量が、前記下地層を構成する前記第1の窒化物半導体におけるAl含有量よりも小さいことを特徴とする、半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 33/00 C

F-Term (26)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA60 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DA57 , 5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-193085 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219179 Applicant：日本電信電話株式会社
窒化物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-237501 Applicant：日亜化学工業株式会社

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