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J-GLOBAL ID：200903049820803331

成膜方法及びプラズマCVD装置

Inventor：
池田 太郎

About 池田 太郎


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 渡部 敏彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001315632
Publication number (International publication number)：2003119564
Application date： Oct. 12, 2001
Publication date： Apr. 23, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基板表面に形成された自然酸化膜の除去処理と高融点金属を含む膜の成膜処理とを、基板を大気に晒すことなく、同一チャンバー内で連続して短時間で実行することができる成膜方法及びプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置のチャンバー内でSi基板の表面にある自然酸化膜の除去後、該自然酸化膜が除去されたSi基板を大気に晒すことなく、エッチングと成膜を最適化された同一チャンバー内で連続して自然酸化膜が除去されたSi基板上に高融点金属を含む膜を成膜する。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD装置を使用して基板に対して成膜を行う成膜方法において、前記プラズマCVD装置のチャンバー内で前記基板の表面にある自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程と、前記自然酸化膜が除去された基板を大気に晒すことなく、エッチングと成膜を最適化された同一チャンバー内で前記自然酸化膜が除去された基板の上に連続して高融点金属を含む膜を成膜する工程と備えることを特徴とする成膜方法。
IPC (2)：
C23C 16/02 ,  H01L 21/205
FI (2)：
C23C 16/02 ,  H01L 21/205
F-Term (21)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045CB10 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB13 ,  5F045EH19 ,  5F045HA03 ,  5F045HA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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