薄膜トランジスタからなるデバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三俣弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997281661
Publication number (International publication number)：1998135481
Application date： Oct. 15, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】TFTに用いるnチャネル有機半導体材料の特性(特に、移動度)を改善する。【解決手段】薄膜トランジスタを有するデバイスに関する。このトランジスタは、ゲート、ソース、ドレイン、及びn形有機半導体化合物からなる。このn形有機半導体化合物は、炭素環と複素環から選択される非飽和環の単一のリニアアレーを有し、真空エネルギーレベルを基準として、約3.5〜4.6eVの最低非占有分子軌道エネルギーレベルを有する。この化合物は、2×10-4cm2V-1s-1以上の電界効果電子移動度を示す。このデバイスは、pチャネル有機TFTを有することができる。n形有機半導体化合物は、NTCDA、NTCDI、TCNNQDから選択される。

Claim (excerpt)：

ゲートと、ソースと、ドレインと、及びn型有機半導体化合物とを有する薄膜トランジスタからなるデバイスであって、このn型有機半導体化合物は、炭素環及び複素環から選択された非飽和環の単一リニアアレーを有し、LUMOエネルギーレベルが真空エネルギーレベルを基準として約3.5〜約4.6eVであり、かつ、2×10-4cm2V-1s-1以上の電界効果電子移動度を示すことを特徴とする薄膜トランジスタからなるデバイス。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (3)：

H01L 29/78 618 B , H01L 29/28 , H01L 29/78 616 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特表昭61-501940
特許第5563424号
特許第4371883号

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