ポリシングスラリー、III族窒化物結晶の表面処理方法、III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005288224
Publication number (International publication number)：2007103457
Application date： Sep. 30, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：

【課題】III族窒化物結晶に潜傷が少なく平滑な表面が効率よく形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたIII族窒化物結晶の表面処理方法などを提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の表面を化学機械的にポリシングするためのポリシングスラリーであって、ポリシングスラリーはIII族窒化物結晶の硬度以下の硬度を有する砥粒を含み、砥粒は1次粒子が会合した2次粒子であり、1次粒子の平均粒径d1に対する2次粒子の平均粒径d2の比d2/d1が1.6以上であることを特徴とするポリシングスラリー。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

III族窒化物結晶の表面を化学機械的にポリシングするためのポリシングスラリーであって、前記ポリシングスラリーは前記III族窒化物結晶の硬度以下の硬度を有する砥粒を含み、前記砥粒は1次粒子が会合した2次粒子であり、前記1次粒子の平均粒径d1に対する前記2次粒子の平均粒径d2の比d2/d1が1.6以上であることを特徴とするポリシングスラリー。

IPC (3)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14

FI (4)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550Z , C09K3/14 550C

F-Term (7)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-138667 Applicant：松下電器産業株式会社
米国特許第6596079号明細書
米国特許第6488767号明細書

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