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J-GLOBAL ID：200903050020625816

誘導性プラズマリアクター

Inventor： サバス スティーブン イー. ,  マットソン ブラッド エス. ,  ハモンド マーチン エル. ,  セルブレード スティーブン シー.
Applicant, Patent owner： マットソン テクノロジー インコーポレーテッド
Agent (1)： 木村 進一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996516207
Publication number (International publication number)：1998508985
Application date： Nov. 13, 1995
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】半導体ウェハを処理するためのプラズマリアクターおよびその方法に関する。反応室にガスを導入する。反応室を誘導コイルで囲む。誘導コイルに高周波(RF)電力を印加して反応室と誘導結合させ、プラズマを発生させる。誘導コイルと反応室の間に分割ファラデーシールドを挿入し、プラズマ電位を変化させるエネルギーの反応室との容量結合を阻止する。プラズマ電位の変化のレベルを制御するように、分割ファラデーシールドを選択することもできる。エッチング工程のために、別個の通電電極を用いて、ウェハ表面に向けてイオンを加速することができる。等方性エッチングの場合、荷電粒子をガス流から篩分けし、中性活性種(neutral activated species)は阻止せずにウェハ表面に到達させる。

Claim (excerpt)：

荷電粒子および活性化中性種を含有するプラズマを発生するプラズマリアクターであって、基板を含む処理室と、前記プラズマリアクターと処理室の間に配置されたフィルターとを備え、前記フィルターが、プラズマリアクターから活性化中性種を受け入れるための複数開口を形成する第1フィルター部材と、活性化中性種を前記処理室に送るための複数の開口を形成する第2フィルター部材とを備え、前記フィルターは、活性化中性種がプラズマリアクターから処理される基板に対して流れるように、プラズマリアクターから処理室へ流動経路を形成し、そして前記第1と第2のフィルター部材が各々、荷電粒子を前記流動経路からフィルターする導電性材料を含んでなる基板処理用プラズマリアクター。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01J 37/32 ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• イオンビームエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-157769   Applicant：株式会社日立製作所
• ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-312526   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035066   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-237251   Applicant：三菱電機株式会社