導体および半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：合田潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995137715
Publication number (International publication number)：1996064551
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体サリサイド処理における集塊および転移を防止する。【構成】半導体基板5上にドープ・ポリシリコン層を形成し、ドープ・ポリシリコン層をパターニングして導体20を形成し、導体上に窒素含有金属膜40を形成し、窒素含有金属膜を窒素含有金属シリサイド膜45に変え、窒素含有金属シリサイド膜に含まれる窒素によってこのシリサイド膜の熱安定性を改善する。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板を設ける工程と、(b)前記半導体基板上にドープ・ポリシリコン層を形成する工程と、(c)前記ドープ・ポリシリコン層をパターニングして導体を形成する工程と、(d)前記導体上に窒素含有金属膜を形成する工程と、(e)前記窒素含有金属膜を窒素含有金属シリサイド膜に変える工程と、を含む導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , C23C 14/34 , C23C 14/58

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-196442
特開平4-206835
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-175665 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page