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J-GLOBAL ID：200903050323256155

ポジ型レジスト組成物

Inventor：
上西 一也

About 上西 一也


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001267429
Publication number (International publication number)：2003076023
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、ArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、ラインエッジラフネスが改善され、さらに解像力、レジスト形状、焦点深度などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型感光性組成物を提供すること。【解決手段】 側鎖にシリコン原子を有し、かつアルカリには不溶性又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマー及び活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt)：
(a)側鎖にシリコン原子を有し、かつアルカリには不溶性又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液には可溶となるポリマー、及び(b)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物に於いて上記(a)が一般式(A)で表される基を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】R1は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を表す。複数のR1は同一であっても異なっていてもよい。
IPC (3)：
G03F 7/039 601 ,  C08F230/08 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/039 601 ,  C08F230/08 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (40)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07R ,  4J100AJ02S ,  4J100AK32R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL86R ,  4J100AM47P ,  4J100AR11P ,  4J100BA02R ,  4J100BA02S ,  4J100BA15P ,  4J100BA80P ,  4J100BA80Q ,  4J100BA81P ,  4J100BA81Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC53S ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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