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J-GLOBAL ID：200903050372206511

半導体装置の接着方法とそれに使用される接着剤

Inventor：
小笠原 宏

About 小笠原 宏


Applicant, Patent owner：
京セラケミカル株式会社

About 京セラケミカル株式会社


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003146602
Publication number (International publication number)：2004349561
Application date： May. 23, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：
【課題】半導体素子の電極パッド上の金属突起と配線基板の配線パターンとの熱共晶による合金形成接続法において、接続信頼性が高く、ボイド発生不良や接続不良が発生しない半導体装置の製造方法とそれ用の接着剤を提供する。【解決手段】電極パッド2上に金属突起3を有する半導体素子1と、電極パッドに相対する配線パターン5を有する配線基板4との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤6を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧7し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を硬化6′させて、半導体素子と配線基板とを固定する半導体装置の製造方法である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電極パッド上に金属突起を有する半導体素子と、電極パッドに相対する配線パターンを有する配線基板との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を光もしくは熱により硬化させて、半導体素子と配線基板とを固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (2)：
H01L21/60 311S ,  H01L23/30 R
F-Term (7)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109EA02 ,  4M109EB12 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044LL11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体素子の接続構造及びその接続方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-130296   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 回路板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-020106   Applicant：日立化成工業株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-302946   Applicant：ソニー株式会社
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