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J-GLOBAL ID：200903077353006973

フリップチップ実装方法

Inventor：
鈴木 理

About 鈴木 理

, 
吉井 東之

About 吉井 東之

, 
鈴木 憲一

About 鈴木 憲一


Applicant, Patent owner：
ナミックス株式会社

About ナミックス株式会社


Agent (1)： 津国 肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000113081
Publication number (International publication number)：2002313841
Application date： Apr. 14, 2000
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体チップと基板との間にボイドを生ずることのない、フリップチップ実装方法を提供する。【解決手段】 フリップチップ実装方法において、(A)基板を乾燥する工程;ならびに(B)(1)、(2)のいずれか、すなわち:(1)未硬化の封止剤を、基板表面の、少なくとも該バンプを圧着する部位、および/または基板の微細な凹凸が存在する部位全体にディスペンスする工程;(2)該半導体チップと該基板との温度差が、未硬化ないし硬化中の封止剤に、対流を実質的に起こさないように、温度条件を維持しつつ、圧着および封止剤の硬化を行う工程;を含む実装方法。
Claim (excerpt)：
バンプを有する半導体チップのバンプを、基板に圧着するか、またはバンプを有しない半導体チップを、表面にバンプおよび/もしくは配線パターンのための微細な凹凸を有する基板に圧着して、封止剤によって該半導体チップと該基板の間を封止するフリップチップ実装方法において、(A)基板を乾燥する工程;ならびに(B)下記の(1)、(2)のいずれかの条件による工程、すなわち:(1)未硬化の封止剤を、基板表面の、少なくとも該バンプを圧着する部位、および/または基板の微細な凹凸が存在する部位全体にディスペンスする工程;(2)該半導体チップと該基板との温度差が、未硬化ないし硬化中の封止剤に、対流を実質的に起こさないように、温度条件を維持しつつ、圧着および封止剤の硬化を行う工程;を含むことを特徴とする実装方法。
IPC (3)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12
FI (3)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 L
F-Term (9)：
5F044KK02 ,  5F044KK06 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR17 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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