歪計測方法および歪計測装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：龍華明裕 , 飯山和俊 , 明石英也 , 林茂則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008146207
Publication number (International publication number)：2009294001
Application date： Jun. 03, 2008
Publication date： Dec. 17, 2009
Summary：

【課題】基板の歪みを簡便に計測する方法および装置。【解決手段】複数の素子を有する基板に、処理が実行される前に、一定の周期を有する周期パターンを形成するパターン形成段階と、他の基板に、一定の周期を有する周期パターンを形成して参照基板を作製する参照基板準備段階と、処理を実行された基板を参照基板に重ねて、周期パターンの重なりにより生じる縞を観測する観測段階と、観測段階における観測結果から基板の歪を計測する計測段階とを備える。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

複数の素子が形成される基板に、処理が実行される前に、一定の周期を有する周期パターンを形成するパターン形成段階と、一定の周期を有する周期パターンが形成された参照基板を準備する参照基板準備段階と、前記処理を実行された前記基板を前記参照基板に重ねて、周期パターンの重なりにより生じる縞を観測する観測段階と、前記観測段階における観測結果から前記基板の歪を計測する計測段階とを備える歪計測方法。

IPC (2)：

G01B 11/25 , H01L 21/66

FI (3)：

G01B11/25 H , H01L21/66 J , H01L21/66 Y

F-Term (19)：

2F065AA65 , 2F065BB01 , 2F065CC19 , 2F065FF06 , 2F065FF51 , 2F065FF61 , 2F065HH12 , 2F065JJ08 , 2F065JJ19 , 2F065MM04 , 2F065PP13 , 2F065QQ39 , 4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AB15 , 4M106CA47 , 4M106DB04 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20

Patent cited by the Patent：

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3次元半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062421 Applicant：科学技術振興事業団
ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-060207 Applicant：株式会社ニコン
半導体集積センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-307255 Applicant：株式会社ニコン

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半導体集積センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-307255 Applicant：株式会社ニコン
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