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J-GLOBAL ID：200903020532358155

半導体集積センサ

Inventor：
八木 健

About 八木 健

, 
岡本 和也

About 岡本 和也


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (2)： 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005307255
Publication number (International publication number)：2007114107
Application date： Oct. 21, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：
【課題】半導体チップをウェハレベルで積層して3次元半導体装置を製造する場合、加圧及び加熱を伴う電極接合工程がある。この工程では、ウェハ上の電極を所定の加圧・加熱条件により処理する必要があるが、ウェハ全体の圧力分布を加圧時間の関数として、また温度分布を加熱時間の関数として測定する手段がなく、加熱装置、加圧装置の機械的な動作パラメータの設定が正確に出来なかった。その結果、電極接合処理の歩留まりの低下を招いていた。【解決手段】半導体ウェハ上にアツリョクセンサとしてピエゾ抵抗素子を集積化し、同時に測温素子を一体的に作りつけることにより、圧力分布及び温度分布を処理時間の関数として測定が可能になる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複数の圧力センサ及び複数の温度センサを有し接触圧を測定する、圧力測定装置であって、 前記圧力センサは 撓み部に形成されたピエゾ抵抗素子又は静電容量可変部、及び被測定物に接触する微小な柱状突起を有する ことを特徴とする圧力測定装置。
IPC (4)：
G01L 1/18 ,  H01L 29/84 ,  H01L 21/66 ,  G01L 5/00
FI (4)：
G01L1/18 A ,  H01L29/84 A ,  H01L21/66 H ,  G01L5/00 101Z
F-Term (18)：
2F051AB09 ,  2F051AC01 ,  2F051BA07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA11 ,  4M106CA31 ,  4M106CA70 ,  4M106DH14 ,  4M106DH22 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA29 ,  4M112CA30 ,  4M112CA33 ,  4M112DA17 ,  4M112FA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (3)

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