シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000286068
Publication number (International publication number)：2002100632
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】高品質なDZ層が形成され、デバイス製造熱処理を行なっても高抵抗率を維持できるDZ-IGウエーハを確実に提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により、抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が10〜25ppmaであり、窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成して、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに熱処理を行なうことにより該ウエーハ中の残留格子間酸素濃度を8ppma以下とするシリコンウエーハの製造方法。およびチョクラルスキー法により、抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が8ppma以下であり、窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成して、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに熱処理を行なうことによりウエーハバルク部に酸素析出物層を形成するシリコンウエーハの製造方法。および本発明の製造方法により製造されたシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

シリコンウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法により、抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が10〜25ppmaであり、窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成して、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに熱処理を行なうことにより該ウエーハ中の残留格子間酸素濃度を8ppma以下とすることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/322 , H01L 21/208 , C30B 29/06

FI (3)：

H01L 21/322 Y , H01L 21/208 P , C30B 29/06 A

F-Term (17)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077EB10 , 4G077FE05 , 4G077HA06 , 5F053AA12 , 5F053AA14 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053PP03 , 5F053RR03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

シリコン単結晶ウエ-ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ-ハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-050396 Applicant：信越半導体株式会社
特開昭62-202528
特開昭58-056344

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