Pat
J-GLOBAL ID:200903050684389893

プラズマエッチング装置およびエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997016788
Publication number (International publication number):1998214822
Application date: Jan. 30, 1997
Publication date: Aug. 11, 1998
Summary:
【要約】【課題】大口径のウェーハ基板上の被エッチング材料を微細で均一に加工できるようにする。【解決手段】本発明のプラズマエッチング装置は、プラズマ放電のなされるエッチング室を備え、且つ平行平板型電極を有するプラズマエッチング装置であって、前記平行平板電極を構成する下部電極と上部電極とに同一周波数の高周波を発生する高周波電源がそれぞれ接続され、前記同一周波数の高周波に位相差を設けるための位相差調整器が前記第1および第2の高周波電源間に接続されている。そして、高周波の位相が異なりパワーの異なる高周波が下部電極と上部電極とに独立に且つ同時に印加されて被エッチング材料のエッチングがなされる。
Claim (excerpt):
プラズマ放電のなされるエッチング室を備え、且つ平行平板型電極を有するプラズマエッチング装置であって、前記平行平板型電極を構成する下部電極と上部電極とに同一周波数の高周波を発生する高周波電源がそれぞれ接続され、前記同一周波数の高周波に位相差を設けるための位相差調整器が前記第1および第2の高周波電源間に接続されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4):
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page