Pat
J-GLOBAL ID:200903050684389893
プラズマエッチング装置およびエッチング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997016788
Publication number (International publication number):1998214822
Application date: Jan. 30, 1997
Publication date: Aug. 11, 1998
Summary:
【要約】【課題】大口径のウェーハ基板上の被エッチング材料を微細で均一に加工できるようにする。【解決手段】本発明のプラズマエッチング装置は、プラズマ放電のなされるエッチング室を備え、且つ平行平板型電極を有するプラズマエッチング装置であって、前記平行平板電極を構成する下部電極と上部電極とに同一周波数の高周波を発生する高周波電源がそれぞれ接続され、前記同一周波数の高周波に位相差を設けるための位相差調整器が前記第1および第2の高周波電源間に接続されている。そして、高周波の位相が異なりパワーの異なる高周波が下部電極と上部電極とに独立に且つ同時に印加されて被エッチング材料のエッチングがなされる。
Claim (excerpt):
プラズマ放電のなされるエッチング室を備え、且つ平行平板型電極を有するプラズマエッチング装置であって、前記平行平板型電極を構成する下部電極と上部電極とに同一周波数の高周波を発生する高周波電源がそれぞれ接続され、前記同一周波数の高周波に位相差を設けるための位相差調整器が前記第1および第2の高周波電源間に接続されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
FI (4):
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 E
, H05H 1/46 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
プラズマ処理装置及びその制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-330239
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
-
特開平4-360529
-
マグネトロンプラズマエッチング方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-073407
Applicant:国際電気株式会社, 沖電気工業株式会社
-
プラズマ処理装置およびその制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-312683
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
-
プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-120869
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
Show all
Return to Previous Page