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J-GLOBAL ID：200903050736236241

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

Inventor： 佐藤 英紀 ,  鈴木 範夫 ,  高松 朗 ,  丸山 裕之 ,  才川 健志 ,  堀田 勝彦 ,  壹添 宏之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000012026
Publication number (International publication number)：2001203263
Application date： Jan. 20, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 分離溝内に埋め込む絶縁膜の上部に穴等を形成させることなく分離溝をその絶縁膜によって良好に埋め込む。【解決手段】 半導体基板1に形成された分離溝6aを埋め込む際に、最初に塗布膜6cによって分離溝6aの途中の深さ位置までを埋め込んだ後、その上に、CVD法で形成された絶縁膜6dを堆積し、さらに、その絶縁膜6dをCMP法等で研磨することで削ることで、分離溝6a内を塗布膜6cと絶縁膜6dとの重ね膜で埋め込む。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板の分離領域に分離溝を形成する工程と、(b)前記分離溝の深さ方向の途中の位置までを塗布法で堆積された第1の絶縁膜によって埋める工程と、(c)前記第1の絶縁膜が埋め込まれた前記分離溝の残りの深さ部分を第2の絶縁膜によって埋める工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 D

F-Term (24)：

5F032AA35 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA02 ,  5F032DA09 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F083AD24 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭60-020530
  
• 特開昭62-173738
  
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-012945   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-352716   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-281574   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭62-049643
  
• 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに設計方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-033388   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭62-133733