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J-GLOBAL ID：200903050742369334

電気抵抗が高い相変化記録膜

Inventor： 野中 荘平 ,  木之下 啓 ,  森 暁
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (2)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003103519
Publication number (International publication number)：2004311729
Application date： Apr. 08, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】電気抵抗の高い相変化記録膜を提供する。【解決手段】原子%でGe:15〜30%、Sb:15〜30%を含有し、酸素:1〜15%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗の高い相変化記録膜。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

原子%で(以下、%は原子%を示す)Ge:15〜30%、Sb:15〜30%を含有し、さらに酸素:0.1〜15%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする電気抵抗が高い相変化記録膜。

IPC (5)：

H01L45/00 ,  B41M5/26 ,  C01G30/00 ,  C23C14/08 ,  H01L27/10

FI (5)：

H01L45/00 A ,  C01G30/00 ,  C23C14/08 K ,  H01L27/10 451 ,  B41M5/26 X

F-Term (23)：

2H111EA04 ,  2H111EA23 ,  2H111EA31 ,  2H111FB05 ,  2H111FB09 ,  2H111FB12 ,  2H111FB25 ,  2H111FB30 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4K029AA06 ,  4K029BA43 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029DC24 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-324150   Applicant：松下電器産業株式会社
• 相変化型不揮発性記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-296101   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Crystal Structure of Oxygen/Nitrogen-Doped GeSbTe Phase-Change Media: Investigation Using Grazing In