Pat
J-GLOBAL ID:200903050772475546
薄膜半導体素子の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000164306
Publication number (International publication number):2001345450
Application date: Jun. 01, 2000
Publication date: Dec. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】 薄膜半導体素子において、ゲート絶縁膜中に含まれる水分がゲート電極膜の材料であるWと反応することにより、トランジスタ特性の負方向への変動が生じ、素子の信頼性を損なう。【解決手段】 マイクロ波の照射により、ゲート絶縁膜中の水分を除去するプロセスを導入することにより、トランジスタ特性の変動を防止する。
Claim (excerpt):
基板上に多結晶シリコンからなる半導体膜を形成する工程、前記半導体膜に酸化珪素からなるゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜および前記基板に周波数が2.4GHzから2.5GHzの電磁波を照射する工程を少なくとも有する薄膜半導体素子の製造方法。
IPC (6):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, C23C 14/06
, C23C 14/34
, C23C 16/40
, H01L 21/316
FI (7):
C23C 14/06 N
, C23C 14/34 N
, C23C 16/40
, H01L 21/316 X
, H01L 21/316 P
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 617 M
F-Term (54):
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA02
, 4K029BA03
, 4K029BA11
, 4K029BA17
, 4K029BA21
, 4K029BB02
, 4K029BC03
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA29
, 4K030BA44
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA08
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030HA03
, 4K030JA18
, 4K030KA23
, 5F058BA07
, 5F058BB04
, 5F058BB07
, 5F058BC02
, 5F058BF07
, 5F058BF25
, 5F058BF29
, 5F058BH17
, 5F058BH20
, 5F058BJ10
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110EE06
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110FF36
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL11
, 5F110HL23
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN35
, 5F110PP03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
薄膜トランジスタの製造方法及びアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-197658
Applicant:株式会社東芝
-
薄膜トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-258822
Applicant:株式会社東芝
-
ガラス基板および加熱処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-279029
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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