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J-GLOBAL ID：200903050832431802

不揮発性メモリ、製造およびプログラミングの方法

Inventor：
フー、チュン-ユー

About フー、チュン-ユー

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チャン、クオ-トゥン

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リュー、ウェイ-フア

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バーネット、デビッド

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Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002520232
Publication number (International publication number)：2004507887
Application date： Aug. 01, 2001
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：
不揮発性メモリは行と列(311-316;331-336)に並んだセルのアレイ(30)を含み、各列のセル(311-316;331-336)は各々の分離型pウェル領域(301,302,303)に配置される。アレイの行の中の一連のメモリセル(311,321,331;316,326,336)の制御ゲートは共通のワード線(3071,3072;3076)で電気的に連結される。ビット線(3091,3092,3093)は、各々の列(311-316;331-336)の各メモリセルのドレイン領域またはソース領域に電気的に連結する。ソース線(3051,3052,3053)およびアレイの各列(311-316;331-336)の少なくとも1つのメモリセルは、該ソース線およびセルの列のpウェル領域(301,302,303)に電気的に連結される。従ってアレイ(30)の各列は分離されたウェルの中に配置される。
Claim (excerpt)：
メモリセルの行と列を備えた電気的消去・プログラム可能型読取専用メモリ(EEPROM)アレイを有する半導体デバイスであって: 空間的に離れ、かつ電気的に分離された、半導体基板内の第1のpウェル領域および第2のpウェル領域; 第1のpウェル領域内に配置された第1のメモリセル列; 第2のpウェル領域内に配置された第2のメモリセル列; 同じ行にあり、共通のワード線によって電気的に連結された、第1のメモリセル列の第1のメモリセルの第1の制御ゲートおよび第2のメモリセル列の第2のメモリセルの第2の制御ゲート; 第1のメモリセル列の各メモリセルのドレイン領域に電気的に連結された第1のビット線; 第2のメモリセル列の各メモリセルのドレイン領域に電気的に連結された第2のビット線; 第1のメモリセル列の各メモリセルのソース領域に電気的に連結された第1のソース線であって、該第1のソース線と第1のメモリセル列の少なくとも1つのメモリセルのソース領域が、第1のpウェル領域に電気的に連結された第1のソース線;および 第2のメモリセル列の各メモリセルのソース領域に電気的に連結された第2のソース線であって、該第2のソース線と第2のメモリセル列の少なくとも1つのメモリセルのソース領域が、第2のpウェル領域に電気的に連結された第2のソース線;を備えた半導体デバイス。
IPC (4)：
H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (2)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
F-Term (29)：
5F083EP23 ,  5F083EP44 ,  5F083EP49 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER30 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA56 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F101BA07 ,  5F101BA29 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD30 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BD37 ,  5F101BE07 ,  5F101BH02 ,  5F101BH30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-202000   Applicant：株式会社日立製作所
  • EEPROM
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-223212   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
  • 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-339548   Applicant：松下電子工業株式会社
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