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J-GLOBAL ID：200903050877639188

強誘電体ゲートメモリ、これに用いる強誘電体薄膜の形成方法およびこの形成方法に用いる前駆体溶液

Inventor： 見田 充郎 ,  小岩 一郎 ,  金原 隆雄 ,  古山 晃一
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社 ,  株式会社豊島製作所
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996013047
Publication number (International publication number)：1997213819
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 MFIS-FETの強誘電体薄膜のための比誘電率の小さな強誘電体材料。【解決手段】 Si基板10の上面にゲート酸化膜14とこのゲート酸化膜14の上面に設けたPt膜16とを介してYMnO3 強誘電体薄膜18を具える強誘電体ゲートメモリ。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上面に絶縁膜を介して強誘電体薄膜を具える強誘電体ゲートメモリにおいて、前記強誘電体薄膜材料としてYMnO3 を用いることを特徴とする強誘電体ゲートメモリ。

IPC (8)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C01G 45/12 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 29/78 371 ,  C01G 45/12 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 強誘電体トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-250196   Applicant：株式会社日立製作所
• 特表平6-508659
  
• 強誘電体薄膜、電子デバイスおよび強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-240607   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 強誘電体記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-237585   Applicant：シャープ株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-142365   Applicant：日本電気株式会社
• 立体模様転写シート
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-109254   Applicant：株式会社松井色素化学工業所