不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995142365
Publication number (International publication number)：1996316342
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】強誘電体をゲート絶縁膜とする不揮発性メモリにおいて、自然酸化膜等の強誘電体以外のゲート絶縁膜部分の過大電界による破損を防止するとともに低電圧駆動を可能にする。【構成】 p型シリコン基板1上にゲート絶縁膜(3、4)を介してゲート電極(TiN膜5)が形成され、基板表面にソース・ドレイン領域7、8が形成されている不揮発性メモリにおいて、ゲート絶縁膜は、酸化膜及び/又は窒化膜からなる膜(3)とゲルマン酸鉛膜4のような誘電率が50以下の強誘電体により形成された膜とから構成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、該ゲート電極を挟んでその両側の半導体基板の表面領域内にソース・ドレイン領域が形成されている不揮発性半導体記憶装置において、前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板に接する第1の絶縁膜と、その上に形成された、誘電率が50以下の酸化物の強誘電体からなる第2の絶縁膜を含んでいることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

不揮発性メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-222597 Applicant：ティーディーケイ株式会社
強誘電体ゲートトランジスタメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-253135 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220221 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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