Pat
J-GLOBAL ID：200903050904856340
半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995341692
Publication number (International publication number)：1997186363
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 この発明は、InAlGaN層上にそれよりも成長温度が高いGaN層を積層したヘテロ構造の形成において、InAlGaN層の組成や膜厚などの特性を安定に積層することができ、かつInAlGaN層を活性層とした半導体発光素子及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 この発明は、InAlGaN層上にその成長温度よりも高い成長温度のGaN層を積層する際に、InAlGaN層の直上に再昇温保護GaN層を設けることにより、InAlGaN層の結晶特性を変化させずにInAlGaN層上にその成長温度よりも高い成長温度のGaN層を積層することができるように構成される。
Claim (excerpt)：
基板上に組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-X-Y </SB>N(0≦X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された複数の層を順次積層して成る半導体発光素子であって、少なくとも、組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-X-Y </SB>N(0<X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された第1の層上に組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-</SB><SB>X-Y </SB>N(0≦X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された第2の層が積層されている半導体発光素子において、前記第1の層と前記第2の層の間には、組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-X-Y </SB>N(0≦X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された第3の層を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
-
半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-038157
Applicant：株式会社東芝
-
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-302586
Applicant：日亜化学工業株式会社
-
化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-098633
Applicant：シャープ株式会社
Return to Previous Page
