半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994303900
Publication number (International publication number)：1996213595
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 MIS型FETの駆動力向上。【構成】 p型半導体基板1上に絶縁膜3を介してゲート電極2が形成される。この基板1のゲート電極2直下に位置するチャネル形成領域4の両側にはn型ソース/ドレイン領域5,6が形成される。絶縁膜3は厚さToxが2.5nm未満とされ、ゲート電極2のゲート長Lg は0.3μm以下とされる。また、このFETは、電源電圧が1.5V以下の回路で使用されるのが望ましい。【効果】駆動電力I及びコンダクタンスgmが向上し、トンネル電流Id2を減少させることができる。

Claim (excerpt)：

第一導電型の半導体基板と、該半導体基板上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース/ドレイン領域とを備え、前記絶縁膜の厚さが2.0nm以下、前記ゲート電極のゲート長が0.3μm以下であることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-071701 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146330 Applicant：大見忠弘
特開平1-170044

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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