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J-GLOBAL ID：200903050990648665

プラズマ処理装置およびその製造方法

Inventor：
上原 剛

About 上原 剛


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Agent (2)： 渡辺 昇 ,  原田 三十義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004142333
Publication number (International publication number)：2005251719
Application date： May. 12, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：
【課題】 絶縁部材と導電部材の間にアークが発生するのを防止可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置Mは、電極31,32間のプラズマ化空間30aに通した処理ガスを下方(空間30aの外部)に配置したワークWへ吹出す。電極31の下面(ワークWへの対面側)には絶縁部材40が設けられ、絶縁部材40の下方には、間隙40bを介して導電部材42が電気的に接地された状態で設けられている。絶縁部材40の誘電率と厚さは、間隙40bにかかる電圧が火花電圧より小さくなるように設定されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プラズマ化空間に通した処理ガスをプラズマ化空間の外部に配置したワークへ吹出し、ワークの表面処理を行なう装置であって、 前記プラズマ化空間を形成するための電極と、 電気的に接地された状態で、前記電極のワークを向くべき側を遮るように設けられた導電部材と、 前記電極と導電部材の間に介在された絶縁体からなる絶縁部材と、を備え、 前記絶縁部材が、当該絶縁部材と導電部材との間が火花電圧に達しない程度の誘電率と厚さを有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H05H1/24 ,  B08B7/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065
FI (5)：
H05H1/24 ,  B08B7/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/302 101E
F-Term (19)：
3B116AA03 ,  3B116AA48 ,  3B116AB13 ,  3B116BB42 ,  3B116BC01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045BB15 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 放電プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-298024   Applicant：積水化学工業株式会社
Cited by examiner (6)
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