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J-GLOBAL ID：200903051001044736

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極構造

Inventor：
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257879
Publication number (International publication number)：1998107318
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ワイヤーボンディング時に透光性電極やボンディング用電極の剥離をなくし、作業歩留りを向上させ発光効率の低下を抑制できる信頼性高い電極構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体層2と、P型GaN系化合物半導体3を備え、発光面側に透光性電極7を有する電極構造のGaN系化合物半導体発光素子である。透光性電極7はNiからなる薄膜8とAuからなる薄膜9が少くとも1組以上交互に積層され、GaN系化合物半導体側がNiからなり、最表面側がAuからなるようにすることにより、オーミック特性が維持され、ボンディング時の電極剥離が抑止でき、発光効率と信頼性の良好なGaN系化合物半導体発光素子が得られる。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体発光層の上にNiからなる薄膜と熱的に安定な金属からなる薄膜とが少なくとも1組以上交互に積層された透光性電極を有し、前記透光性電極上にボンディング用電極を有し、前記透光性電極は、窒化ガリウム系化合物半導体側がNiからなり、表面側が熱的に安定な金属からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極構造。
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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