近接場光リソグラフィー装置および方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998044415
Publication number (International publication number)：1999233427
Application date： Feb. 10, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高いスループットで100nm以下の微細加工が可能で、加工プローブに光の導入用のアライメントが不必要で、装置をコンパクトに構成でき、装置の剛性が高く、床振動や音響振動等の外来ノイズの影響が少く、加工精度を向上できる近接場光リソグラフィー装置および方法を提供する。【解決手段】被加工面に対向して配置した微小開口を備えてなる近接場光ヘッド101に対し、被加工物の表面を所定以下の距離まで接近させて位置合わせし、近接場光ヘッドを被加工面である被露光面に対して相対的に2次元走査して、近接場光ヘッドの位置に応じて光源からの光照射/非照射を制御し、微小開口先端から滲み出るエバネッセント光109により、被露光面を露光して微細加工を行う近接場光リソグラフィー装置または方法である。

Claim (excerpt)：

被加工面に対向して配置した微小開口を備えてなる近接場光ヘッドに対し、該被加工物の表面を所定以下の距離まで接近させて位置合わせし、該近接場光ヘッドを該被加工面である被露光面に対して相対的に2次元走査して、該近接場光ヘッドの位置に応じて光源からの光照射/非照射を制御し、該微小開口先端から滲み出るエバネッセント光により、該被露光面を露光して微細加工を行う近接場光リソグラフィー装置であって、前記光源からの光照射/非照射の制御が、加工パターンデータを蓄積するメモリーの該加工パターンデータに基づき、加工タイミング制御手段によって前記2次元走査に同期させて行うように構成されていることを特徴とする近接場光リソグラフィー装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G02B 21/00

FI (2)：

H01L 21/30 509 , G02B 21/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

光リソグラフィ方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-249138 Applicant：株式会社日立製作所
レーザ描画装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-052360 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
露光方法及び露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322231 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (2)

光リソグラフィ方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-249138 Applicant：株式会社日立製作所
レーザ描画装置
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