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J-GLOBAL ID：200903051329667676

銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板

Inventor： 濱野 智 ,  冨迫 正浩 ,  重岡 俊昭
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998046016
Publication number (International publication number)：1999251700
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】ビアホールに充填された銅メタライズ組成物とガラスセラミック基体とを同時焼成でき、得られたビアホール導体はガラスセラミック磁器から成る絶縁基体表面より凸状に突出することを効果的に抑制でき、特にサーマルビアを有する各種回路基板や高周波用多層配線基板等に好適な銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板を提供すること。【解決手段】 主成分の銅粉末100重量部に対してガラス転移点が700〜750°CのSiO2 -Al2 O3 -RO(R:アルカリ土類金属)-B2 O3 系ガラスフリットを2〜20重量部、CaO成分を含む無機物粉末を0.3〜5重量部含有したビアホール用の銅メタライズ組成物を用い、ガラスセラミック基体と同時焼成することにより、ビアホール導体2の磁器基体表面からの突出高さが5μm以下のガラスセラミック配線基板Sを得る。

Claim (excerpt)：

ガラスセラミック基体と同時焼成可能なビアホール用の銅メタライズ組成物であって、主成分の銅粉末100重量部に対してガラス転移点が700〜750°CのSiO2 -Al2 O3 -RO(R:アルカリ土類金属)-B2 O3 系ガラスフリットを2〜20重量部、CaO成分を含む無機物粉末を0.3〜5重量部含有したことを特徴とする銅メタライズ組成物。

IPC (4)：

H05K 1/09 ,  H01B 1/16 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/11

FI (4)：

H05K 1/09 Z ,  H01B 1/16 Z ,  H05K 1/02 Q ,  H05K 1/11 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 多層セラミツク回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-190020   Applicant：京セラ株式会社
• 銅メタライズ組成物およびそれを用いたガラスセラミック配線基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-316450   Applicant：京セラ株式会社
• スルーホール充填用導体ペースト及びセラミック回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-095605   Applicant：ニッコー株式会社
• 銅ペーストおよび多層配線基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-290072   Applicant：京セラ株式会社