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J-GLOBAL ID：200903051427058688

処理装置のシャワーヘッド構造及び処理ガスの供給方法

Inventor：
藤川 雄一郎

About 藤川 雄一郎

, 
波多野 達夫

About 波多野 達夫

, 
村上 誠志

About 村上 誠志


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社

, 
テル・エンジニアリング株式会社

About テル・エンジニアリング株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995119403
Publication number (International publication number)：1996291385
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：
【要約】【目的】 内部で成膜が発生することを防止することができる処理装置のシャワーヘッド構造を提供する。【構成】 複数種類の処理ガスにより被処理体Wの表面に成膜を行なう処理装置に設けられ、前記処理ガスを供給すべく処理空間Sに臨ませた多数のガス噴射孔78を形成したシャワーヘッド本体56を有するシャワーヘッド構造において、複数種類の処理ガスの流れるガス流路53,54をそれぞれ別々に設け、流路途中でこれらのガスが混合しないようにする。そして、ガス噴射孔から処理空間Sに噴射させた時にこれらのガスを初めて混合させるようにする。
Claim (excerpt)：
複数種類の処理ガスにより被処理体の表面に成膜を行なう処理装置に設けられ、前記処理ガスを供給すべく処理空間に臨ませた多数のガス噴射孔を形成したシャワーヘッド本体を有するシャワーヘッド構造において、前記シャワーヘッド本体には、前記複数種類の処理ガスの流れるガス流路を、前記ガス噴射孔に至るまで別個独立させて形成してあることを特徴とする処理装置のシャワーヘッド構造。
IPC (3)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285
FI (3)：
C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 特開平1-294868
  • TiN-CVD用ガス導入法およびガス導入機構
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069255   Applicant：日電アネルバ株式会社
  • 特開平3-122281
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Cited by examiner (7)
  • 特開平1-294868
  • TiN-CVD用ガス導入法およびガス導入機構
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069255   Applicant：日電アネルバ株式会社
  • 特開平3-122281
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