クラスレート化合物半導体およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000153760
Publication number (International publication number)：2001335309
Application date： May. 24, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】高温・高圧下でも安定して作動し、広禁制帯幅を有するクラスレート化合物半導体及びそれを容易に製造することができる方法を提供する。【解決手段】周期律表第4B族原子をクラスレート格子とし、該クラスレート格子内にクラスレート格子原子よりも電気陰性度の小さな特定の原子を内包し、クラスレート格子原子の一部をクラスレート格子原子よりも価電子数の多いか又は少ない特定の原子で置換して、p型又はn型の半導体とする。ドーピング元素及び置換元素を含む周期律表第4B族の化合物を不活性雰囲気中で溶融または微粉砕して、500°C以上の温度で10時間以上保持した後冷却し、次いで、洗浄処理を施して余剰の原料を除去した後、ホットプレス成形する。また、4B族の化合物として、インターカラント黒鉛層間化合物を使用することもできる。

Claim (excerpt)：

周期律表4B族元素の少なくとも1種の原子を主体としてなるクラスレート格子と、該クラスレート格子の格子間隙に内包されドーピング原子と、前記クラスレート格子を構成する原子の少なくとも一部と置換された置換原子とからなり、該ドーピング原子が前記クラスレート格子を構成する原子よりも電気陰性度が小さな周期律表1A族、2A族、3A族、1B族、2B族、3B族、4A族、5A族、6A族もしくは8族の原子のうちの少なくとも1種であり、該置換原子が周期律表1A族、2A族、3A族、1B族、2B族もしくは3B族の原子のうちから選ばれたうちの少なくとも1種の原子、または5A族、6A族、7A族、5B族、6B族、7B族もしくは8族から選ばれたうちの少なくとも1種の原子であるることを特徴とするクラスレート化合物半導体。

IPC (7)：

C01B 31/02 101 , C01B 33/021 , H01L 21/208 , H01L 35/14 , H01L 35/22 , H01L 35/34 , H01S 5/32

FI (7)：

C01B 31/02 101 F , C01B 33/021 , H01L 21/208 Z , H01L 35/14 , H01L 35/22 , H01L 35/34 , H01S 5/32

F-Term (30)：

4G046CB00 , 4G046CB09 , 4G046CC03 , 4G046MA11 , 4G046MB01 , 4G046MB10 , 4G046MC04 , 4G072AA20 , 4G072BB20 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH33 , 4G072MM23 , 4G072MM26 , 4G072MM37 , 4G072MM38 , 4G072QQ02 , 4G072RR13 , 4G072UU01 , 5F053BB04 , 5F053BB60 , 5F053DD20 , 5F053FF04 , 5F053GG02 , 5F053LL02 , 5F053RR20 , 5F073CA24 , 5F073CB12 , 5F073DA07 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

M4 C6 0 製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-343722 Applicant：日本電気株式会社
クラスレート化合物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-342101 Applicant：日本電気株式会社
炭素クラスター化合物を用いた物性制御方法および炭素クラスター化合物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-320725 Applicant：日本電気株式会社

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