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J-GLOBAL ID：200903051534884841

半導体装置の成膜方法

Inventor：
三宅 正司

About 三宅 正司

, 
馬場 創

About 馬場 創


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 長谷川 文廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001079267
Publication number (International publication number)：2002280380
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来、強誘電体の成膜法としてはスパッタ、CVD、ゾルゲル法等が用いられているが、通常、成膜後に酸素雰囲気下で650°Cの熱処理をされ、ポリマーなどの低融点材料の基板によっては品質に大きな影響が生じる。【解決手段】 強誘電体薄膜や高誘電体薄膜などの誘電体薄膜を容量素子に用いる半導体装置の製造において、誘電体薄膜の成膜後に、酸素存在下の雰囲気中で、1から100GHzのマイクロ波を照射して、その誘電加熱により薄膜を熱処理するものである。具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴(ECR)を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム SrTi O3 を数百nm成膜した後、大気中で28GHzのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数10nmの微細な結晶を発現できた。
Claim (excerpt)：
基板上に強誘電体あるいは高誘電体の誘電体薄膜を成膜し、その後、誘電体薄膜にマイクロ波を照射して誘電加熱し、熱処理することを特徴とする半導体装置の成膜方法。
IPC (5)：
H01L 21/316 ,  C23C 14/58 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 Y ,  C23C 14/58 A ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651
F-Term (22)：
4K029AA06 ,  4K029BA13 ,  4K029BA17 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC48 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F083AD11 ,  5F083FR01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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