半導体レーザ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051252
Publication number (International publication number)：1997246662
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】安定な自励発振特性を有し信頼性の高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101と、活性層104と、活性層104を挟む一対のクラッド層103、105を備えた半導体レーザである。さらに、共振器方向には、発光領域と可飽和吸収領域があり、可飽和吸収領域には、活性層と同時の成長により形成された可飽和吸収層104sがある。可飽和吸収層104sはp型ドーパントが高濃度にドープされていることにより、光吸収によるキャリア寿命を低減化し、安定した自励発振特性が得られる。、その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

活性層と、前記活性層は挟むクラッド層と、共振器方向の一部に形成した可飽和吸収層とを備え、自励発振特性を有する半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-115183 Applicant：三洋電機株式会社
双安定半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-238323 Applicant：富士通株式会社
特開昭58-159349

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